本发明涉及对可见光响应的含钼半导体光催化材料，其分子式为M2M1FeMoO6，式中M1＝Li、Na、K、Rb或Cs；M2＝Be、Mg、Ca、Sr或Ba。其制备方法包括如下步骤：按含M1的化合物、含M2的化合物、含Fe的化合物、含Mo的化合物中的M1、Fe、M2、Mo的摩尔比＝1∶1∶1∶1的比例放入研钵中研磨混合均匀，经过预烧处理后升温到800～1200℃恒温1～160小时，即可得到对可见光响应的含钼半导体光催化材料。本发明材料能带带隙很低，在可见光照射下有很好的吸收，可用于对太阳光进行全光谱吸收；或用于在可见光照射下除空气中的有害物质和杀菌；或用于作为光电转换材料；或用于光催化分解水制氢气和氧气；或用于降解去除污水中对人有害的有机物质。本发明合成成本低廉、方法简单易行。

申请号­	CN200910062008
申请日	2009.05.08
公开（公告）号­	CN101559371A
公开（公告）日	2009.10.21
IPC分类号	B01J23/881; C02F101/30; B01J37/04; B01J37/08; A61L9/18; C01B3/04; C01B13/02; C02F1/30; H01L31/04; A61L101/28; A61L101/02; B01J23/78
申请（专利权）人	武汉理工大学;
发明人	夏文兵;戴璐;黄坤;黄进;冯良东;
优先权号
优先权日
申请人地址	湖北省武汉市洪山区珞狮路122号;
申请人邮编	430070;
CPC分类号