聚吡咯/凹凸棒土导电复合材料的制备方法，其步骤为：(1)将凹凸棒土和水在搅拌下混合，充分浸渍做成浆液，凹凸棒土与水的质量比为：0.7～17.5∶1000；(2)将氧化剂加入到含有吡咯单体和氨基磺酸，以及上述凹凸棒土浆液的混合液中，在氮气保护下，在10～40℃温度下进行反应，时间持续10分钟～6小时；其中凹凸棒土与吡咯单体的质量比为：0.5～12.7∶10，氨基磺酸与吡咯单体的摩尔比为：0.3～7∶1，氧化剂与吡咯单体的摩尔比为：0.5～1.2∶1。(3)将反应液经过滤、洗涤至滤液呈中性；(4)将滤饼40℃下真空干燥，粉碎后得导电复合材料。

申请号­	CN201010046306.2
申请日	2010.01.08
公开（公告）号­	CN101838392A
公开（公告）日	2010.09.22
IPC分类号	C08G73/06; C08K3/34; H01B1/12; C08L79/04; C08K5/43
申请（专利权）人	兰州理工大学;
发明人	冯辉霞;刘生丽;张建强;王毅;鲁华涛;邱建辉;
优先权号
优先权日
申请人地址	甘肃省兰州市兰工坪287号;
申请人邮编	730050