O引言ZnO和TiO2两种宽禁带半导体由于在光催化方面显示出的优异性能而倍受关注[1].但是单一半导体在反应中存在易发生光腐蚀、光子利用率低以及氧化还原电势无法调变等缺陷[2],使其应用受到限制.基于此种原因,目前的研究多以ZnO或TiO2为基础,通过金属离子掺杂、金属负载以及半导体复合等手段进行修饰以优化其性能[3],但是对于ZnO和TiO2复合体系的研究较少,且制备方法集中于机械混合法[4,5].ZnO和TiO2具有相近的禁带宽度(Eg=3.2 eV)[2]和交错的能带位置[6],若将二者在分子水平上混合并加入金属进行调变,其结果及性质的变化将对光催化材料的设计及制备等研究具有重要意义.本文采用溶胶凝胶法制备了金属负载的复合型半导体材料Cu/ZnO-TiO2,并着重研究了这种材料的晶体结构、化学组成以及光响应性能.

    doi：
    10.3321/j.issn:1001-4861.2004.09.027
    关键词：
    复合半导体材料Cu/ZnO-TiO 光催化剂 结构表征 吸光性质
    作者：
    赵春 钟顺和
    作者单位：
    天津大学化工学院,天津,300072
    刊名：
    无机化学学报
    Journal：
    CHINESE JOURNAL OF INORGANIC CHEMISTRY
    年，卷(期)：
    2004, 20(9)
    所属期刊栏目：
    研究简报
    分类号：
    O614.121 O614.24+1 O614.41+1 O643
    基金项目：
    国家重点基础研究发展计划(973计划)
    在线出版日期：
    2004年09月22日
    页数：
    6
    页码：
    1131-1136