本发明公开了一种制备聚吡咯/凹凸棒土纳米导电复合材料的方法，先向去离子水中加入凹凸棒土配制成凹凸棒土浆料，水与凹凸棒土的质量比为4～19：1；将吡咯单体和掺杂剂分别加入到凹凸棒土浆料中搅拌均匀，吡咯与凹凸棒土的质量比为0.1～0.5：1，掺杂剂与吡咯的摩尔比为0.15～1.05：1；再在混合浆料中加入氧化剂，氧化剂与吡咯的摩尔比为1～5：1，在10～60℃下化学氧化聚合10～30min；最后进行固液分离后用去离子水洗涤至滤液为无色；将滤饼于60～150℃下干燥、粉碎得到聚吡咯/凹凸棒土纳米导电粉体。本发明采用快速化学氧化原位聚合的方法，在一维纳米棒状凹凸棒土单晶表面包覆上导电高分子聚吡咯制得，不需特殊前处理，合成工艺简单快捷，导电性能优异，热稳定性能优良。

申请号­	CN200810243156
申请日	2008.12.09
公开（公告）号­	CN101418122B
公开（公告）日	2010.12.08
IPC分类号	C08L79/04; H01B1/12; C08G73/06; C08K3/34
申请（专利权）人	江苏工业学院;
发明人	姚超;王文娟;陈志刚;李为民;高国生;罗士平;
优先权号
优先权日
申请人地址	江苏省常州市钟楼区白云路;
申请人邮编	213164;
CPC分类号